当《科技日报》记者曹秀英
“新基础设施”是最近的热门词汇之一。国家发展和改革委员会最近首次界定了新基础设施的范围——新基础设施是以新的发展理念为指导、以技术创新为动力、以信息网络为基础、面向高质量发展的基础设施系统，并提供数字转换、智能升级和综合创新等服务。
“在以5G、物联网、工业互联网等为代表的新基础设施的主要领域。第三代半导体可以发挥重要作用。”北京大学宽带隙半导体研究中心的沈波教授说。
以碳化硅和氮化镓为代表的第三代半导体，即宽带隙半导体，具有优异的性能，例如高频、高效率、高功率、耐高压、耐高温和耐强辐射。它们是支撑新一代移动通信、新能源汽车、高速铁路列车、能源互联网等行业自主创新、发展、转型和升级的关键核心材料和电子元器件。
沈波解释说，与仍然是功率半导体领域主流的传统硅基器件相比，第三代半导体功率电子器件可以进一步提高电子电气设备的效率、小型化和智能化。例如，基于碳化硅的抗高电压、大电流和低损耗的电力电子器件和模块可大规模应用于智能电网、高速轨道交通、新能源汽车等领域。高效率、小体积、中低压氮化镓基电力电子器件和模块可大规模应用于新一代通用电源，如大型数据中心、移动通信基站、物联网终端设备、手机电源适配器、笔记本电脑、无线快速充电电源等领域，具有巨大的技术优势和市场空。
其中，第三代半导体射频电子器件已经在民用和军用领域得到了大规模应用。尤其是氮化镓射频电子器件和模块，由于其高频、高功率、大带宽的性能优势，在5G移动通信基站建设中发挥着不可替代的作用。中国5G建设的加速将引发氮化镓射频电子器件需求的快速增长。
放眼全球，2019年全球半导体行业将处于低迷状态，但第三代半导体的技术、产品、市场和投资都呈现出较高的增长趋势。领先企业通过调整业务领域、扩大产能供应、整合并购，加强了在第三代半导体的分销，增强了竞争力。相比之下，中国的第三代半导体功率电子和射频电子产业还处于起步阶段，已经初步形成了从材料、器件到应用的完整产业链。然而，总体技术水平仍落后于世界最高水平3-5年。迫切需要突破材料、器件、封装和应用等核心关键技术，以及可靠性和一致性等工程应用问题。
——1——“新基础设施的加快为中国第三代半导体产业的发展提供了宝贵的机遇。国内市场对第三代半导体材料和器件的需求正在迅速增长。终端应用企业也在调整供应链以支持国内企业。产业链中上游和中游以前难以进入供应链的产品将获得下游用户认证机会，并进入几个主要制造商的供应链。”第三代半导体产业技术发展战略联盟秘书长俞昆山表示。
最近发布的《第三代半导体产业技术发展报告(2019)》预测，2024年中国第三代半导体功率电子器件应用市场将达到200亿元，未来五年复合增长率将超过40%。
面对难得的机遇，俞昆山建议中国第三代半导体产业应该更加脚踏实地，稳步前进。“过去几年，政策资源严重倾斜，第三代半导体在许多地方被列为重点支持产业，并采取了许多措施吸引项目，这也导致了一些低水平的重复建设。有鉴于此，各地在大力支持产业发展的同时，也要注意协调发展和错位发展，做好项目筛选工作，结合本地产业、人才和资源优势，考虑财力和政策成本收益率，因地制宜。”
此外，第三代半导体产业在过去两年的快速市场增长主要是由于国家大力推进半导体产业的独立性，以及碳化硅和氮化镓器件在新能源汽车、5G、数据中心等领域的新应用所获得的资本进入。然而，当前的经济低迷导致了消费电子产品、汽车甚至工业电机等各种产品的市场下滑，出口受阻，下游需求萎缩。“行业应该努力提高产品性能和竞争力。深入挖掘创新应用，在扩大增量市场的同时扩大现有市场的渗透率，促进第三代半导体产业健康可持续发展。同时，我们也要面对“抓住机遇，提前投资，但市场启动不及预期”的矛盾，把握产业发展的节奏。余昆山强调道。
资料来源:科学日报
编辑:张琪琪(实习)
审核:关晶晶
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